[发明专利]一种晶圆制造用楔形误差补偿装置及其方法在审
申请号: | 202211100403.4 | 申请日: | 2022-09-09 |
公开(公告)号: | CN115632017A | 公开(公告)日: | 2023-01-20 |
发明(设计)人: | 李海涛;彭博方 | 申请(专利权)人: | 苏州芯澈半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 廖娜 |
地址: | 215000 江苏省苏州市吴江区盛泽镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种晶圆制造用楔形误差补偿装置及其方法,包括水平辅助单元和楔形误差补偿单元,所述楔形误差补偿单元位于水平辅助单元的正下方,所述楔形误差补偿单元上设置有卡盘单元,所述楔形误差补偿单元的下方连接有将楔形误差补偿单元抬升的Z轴抬升气缸,楔形误差补偿单元在Z轴抬升气缸的抬升下,使卡盘单元与水平辅助单元相碰触。本发明能提高补偿的精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 制造 楔形 误差 补偿 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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