[发明专利]一种小尺寸焊点阵列的制备方法在审

专利信息
申请号: 202211119570.3 申请日: 2022-09-14
公开(公告)号: CN115497841A 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 解晓辉;林春;张文杰;张锋 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 上海沪慧律师事务所 31311 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公布了一种小尺寸焊点阵列的制备方法,该制备方法包括以下步骤,首先,在基底上采用常规光刻工艺制备待长焊点区域开孔的光刻胶,这层光刻胶充当后续工艺的掩膜,称其为光刻胶掩膜,在焊点薄膜制备前,先在光刻好的基底上沉积一层附加膜,再进行焊点薄膜制备,这样在焊点薄膜生长过程中,焊点和附加膜相互作用形成合金,可以有效抑制开孔区域横向晶粒的形成和生长,避免形成次生掩膜,大幅度提高开孔区域内焊点的填充率,然后通过湿化学方法剥离掉光刻胶掩膜以及上方的覆盖物,完成焊点制备。本发明制备出的焊点阵列具有焊点形貌饱满、高度和均匀性一致度高的优点。
搜索关键词: 一种 尺寸 阵列 制备 方法
【主权项】:
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