[发明专利]一种小尺寸焊点阵列的制备方法在审
申请号: | 202211119570.3 | 申请日: | 2022-09-14 |
公开(公告)号: | CN115497841A | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 解晓辉;林春;张文杰;张锋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公布了一种小尺寸焊点阵列的制备方法,该制备方法包括以下步骤,首先,在基底上采用常规光刻工艺制备待长焊点区域开孔的光刻胶,这层光刻胶充当后续工艺的掩膜,称其为光刻胶掩膜,在焊点薄膜制备前,先在光刻好的基底上沉积一层附加膜,再进行焊点薄膜制备,这样在焊点薄膜生长过程中,焊点和附加膜相互作用形成合金,可以有效抑制开孔区域横向晶粒的形成和生长,避免形成次生掩膜,大幅度提高开孔区域内焊点的填充率,然后通过湿化学方法剥离掉光刻胶掩膜以及上方的覆盖物,完成焊点制备。本发明制备出的焊点阵列具有焊点形貌饱满、高度和均匀性一致度高的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 尺寸 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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