[发明专利]具有可配置内部错误校正模式的存储器装置在审
申请号: | 202211130001.9 | 申请日: | 2020-02-18 |
公开(公告)号: | CN115437830A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | S·E·谢弗;A·P·贝姆 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F11/07 | 分类号: | G06F11/07;G06F11/10;G06F12/02;G11C7/10;G11C11/22;G11C11/4096;G11C29/42;G11C29/44;G11C29/52 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请案是针对具有可配置内部错误校正模式的存储器装置。举例来说,主机装置可指示存储器系统将使用一或多个通信(例如,消息)实施单错误校正双错误检测(SECDED)操作。在另一实例中,所述存储器系统可经硬连线以针对某些选项执行SECDED。所述存储器系统可调适与单错误校正(SEC)操作相关联的电路系统以在不明显地影响裸片大小的情况下实施SECDED操作。为了使用SEC电路系统实施SECDED操作,所述存储器系统可包含一些额外电路系统以改变所述SEC电路系统的用途以用于SECDED操作。 | ||
搜索关键词: | 具有 配置 内部 错误 校正 模式 存储器 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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