[发明专利]半导体开关及半导体器件在审
| 申请号： | 202211131300.4 | 申请日： | 2022-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN115954334A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 黄汇钦;吴龙江;曾健忠 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L23/48;H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 欧国聪 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体开关及半导体器件。一种半导体开关，包括：HEMT异质结构层，所述HEMT异质结构层上设有金属电极；应力缓冲层，固定在所述HEMT异质结构层的上侧，与所述金属电极连接；PAD金属层，固定在所述应力缓冲层的上侧，通过所述应力缓冲层与所述金属电极连接。本申请通过在HEMT异质结构层与PAD金属层之间设置的应力缓冲层，可以使HEMT异质结构层、应力缓冲层和PAD金属层依次叠层设置，充分利用PAD金属层下方的空间，减少整体芯片面积，同时保证了PAD金属层下方电路的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关 半导体器件 | ||
【主权项】：
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