[发明专利]基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质

摘要

本发明是基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质，以提高在基板上形成的膜的特性。基板处理方法具有通过将循环进行预定次数而在基板上形成含硅、预定元素及氮的膜的工序，循环包括(a)向基板供给含硅的第一气体而形成第一层的工序、(b)向基板供给含硅且分子结构与第一气体不同的第二气体而形成第二层的工序、(c)向基板供给含预定元素的第三气体的工序和(d)向基板供给含氮的第四气体而对第一层及第二层进行改性的工序；预定元素是能够在膜中形成缺陷的元素，在循环中，按照(a)(c)(b)(d)、(c)(a)(b)(d)或(c)(a)(c)(b)(d)的任一顺序进行(a)～(d)各工序。