[发明专利]一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件有效
| 申请号： | 202211133712.1 | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN115223961B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 姜旭波;杨晓俊;尹飞 | 申请（专利权）人： | 中科华艺（天津）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495;H01L25/07 |
| 代理公司： | 天津合正知识产权代理有限公司 12229 | 代理人： | 李震勇 |
| 地址： | 300304 天津市东丽区华*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，包括框架，其包括基岛和两个管脚，所述基岛上固设有一个耗尽型氮化镓MOSFET和一个增强型硅基MOSFET，且所述耗尽型氮化镓MOSFET的G极和增强型硅基MOSFET的S极电连接，所述增强型硅基MOSFET的G极与框架的其中一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的D极与框架的另一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的S极与增强型硅基MOSFET的D极连接。本发明采用增强型硅基MOSFET控制耗尽型氮化镓MOSFET的开闭，从而使得氮化镓适用范围更广，提高电路导通后的整体电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 qfn 外形 氮化 半导体器件 | ||
【主权项】：
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