[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202211135720.X | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN116031283A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 松浦仁 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底、栅极绝缘膜、栅极和第一多晶硅膜。半导体衬底具有第一主表面和作为第一主表面的相对表面的第二主表面。半导体衬底具有第一部分和第二部分。半导体衬底包括被布置在位于第一部分中的第二主表面上的集电极区域、被布置在位于第二部分中的第二主表面上的阴极区域、被布置在集电极区域和阴极区域上的漂移区域、被布置在位于第一部分中的第一主表面上的发射极区域、被布置在发射极区域与集电极区域之间的基极区域、以及被布置在位于第二部分中的第一主表面上的阳极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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