[发明专利]一种钽酸锂单晶生长设备在审
| 申请号： | 202211155072.4 | 申请日： | 2022-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115558995A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 袁韶阳;冯佳峰;于会永;赵春锋;赵中阳;刘钊;张艳辉;荆爱明 | 申请（专利权）人： | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B23/00 |
| 代理公司： | 黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙) 23218 | 代理人： | 孙淑荣 |
| 地址： | 163000 黑龙江省大庆市高新区火*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钽酸锂单晶生长设备，包括生长罐，生长罐的内部固定安装有外侧坩埚，外侧坩埚的顶部固定安装有抚平装置，生长罐的侧边固定安装有水冷装置，水冷装置的侧边固定安装有惰性气体输入装置，设置惰性气体输入装置，使氩气罐内部的氩气，通过出气管经过伸缩管，使内部始终处于充满惰性气氛中，提升钽酸锂单晶的生长速率和生长效果，使生长设备的性能提升，在抚平块的作用下，钽酸锂单晶的表面更加光滑，设置抚平装置为钽酸锂单晶后续的工序减轻加工难度，使氩气罐内部的氩气，通过出气管在外部水箱的内部进行流动，通过水冷机组的作用，提升钽酸锂单晶生长的质量，同时避免原料的在内坩埚的内部残留。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钽酸锂单晶 生长 设备 | ||
【主权项】：
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