[发明专利]一种磁电阻结构及单轴向测量磁传感器在审
| 申请号： | 202211159797.0 | 申请日： | 2022-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115542207A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 郭海平;徐杰;沈卫锋;薛松生 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 戚海洋 |
| 地址： | 215634 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及传感器技术领域，提供了一种磁电阻结构及单轴向测量磁传感器，包括：磁隧道结结构，包括第一磁隧道结结构和第二磁隧道结结构，第一磁隧道结结构设置在第二磁隧道结结构上，或第一磁隧道结结构与第二磁隧道结结构分立设置；第一磁隧道结结构中包括第一偏置层，第二磁隧道结结构中包括第二偏置层；第一偏置层的偏置方向与第二偏置层的偏置方向与膜层平面平行，且垂直于待测轴向并相互反平行；磁隧道结结构设置在底电极与顶电极之间。解决了现有技术中存在的在与器件膜层平面平行的方向上，由于受到垂直于待测轴向的其他轴向产生相应的磁场分量干扰，难以准确反应出待测轴向上的磁场大小的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁电 结构 轴向 测量 传感器 | ||
【主权项】：
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