[发明专利]带隙基准电路在审
| 申请号： | 202211159835.2 | 申请日： | 2022-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115328258A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 柴军营 | 申请（专利权）人： | 武汉泽声微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;车晓军 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种带隙基准电路，通过设置第一晶体单元和第二晶体单元实现了分压，使得第二晶体单元上产生的随温度变化会降低的第二电压(也即CTAT电压)得以减小，以使CTAT电压随温度变化后降低的幅度减小，由于带隙基准电路是通过PTAT电压随温度变化升高的电压来补偿CTAT电压随温度变化降低的电压，从而输出一个随温度变化基本不变的固定电压值，这样，第一电阻上产生的第一电压(也即PTAT电压)的需求降低，所以带隙基准电路中就不需要设置面积较大(量级大)的第一电阻，且第一晶体单元和第二晶体单元的面积均较小，从而达到减小了带隙基准电路整体占用面积的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电路 | ||
【主权项】：
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