[发明专利]一种基于金刚石的P型MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211162219.2 | 申请日： | 2022-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN115425084A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 苌凤义 | 申请（专利权）人： | 中科芯（苏州）微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 苏州根号专利代理事务所(普通合伙) 32276 | 代理人： | 仇波 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金刚石的P型MOSFET器件及其制造方法，其包括中层结构、位于中层结构上端面上的上层结构，中层结构包括金刚石的N型衬底、形成于N型衬底左右两侧的P+源区，上层结构包括形成于其中一个P+源区上端面上的源极金属层、形成于另一个P+源区上端面上的漏极金属层、形成于N型衬底上端面上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上端面上的栅极金属层，源极金属层与栅极金属层之间、以及栅极金属层和漏极金属层之间均具有沟槽，MOSFET器件还包括与上层结构对称的设置在中层结构下端面上的下层结构。该器件结构简单，制造工艺过程简单，受工艺不稳定性影响小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金刚石 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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