[发明专利]永磁体稳磁方法及永磁体在审

专利信息
申请号: 202211172169.6 申请日: 2022-09-26
公开(公告)号: CN115588552A 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 沈鑫腾;孙颖莉;丁勇;刘雷;赵江涛;王春国;王朝中;周波;闫阿儒 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01F13/00 分类号: H01F13/00;H01F7/02;H01F1/01
代理公司: 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 代理人: 高礼强
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种永磁体稳磁方法及永磁体。该永磁体稳磁方法包括如下步骤:将永磁体充磁至饱和状态;对饱和状态的永磁体进行部分退磁,退磁量范围小于或等于21%,退磁后的表观磁畴尺寸为0.1μm‑1.0μm。上述永磁体稳磁方法,从稳定磁畴的角度出发,通过限定退磁量以及表观磁稠尺寸的方式进行部分退磁,以消除磁畴的不稳定状态,使其磁矩提前偏转至稳定状态,大幅减少自然磁损,提高永磁体的时间稳定性。这种部分退磁稳磁方法普适性强,简单高效,效果显著,有利于提高关键磁性器件的使用精度以及稳定性。
搜索关键词: 永磁体 方法
【主权项】:
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