[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211172211.4 | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115424983A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 李东琦 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟秀娟;臧建明 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制备方法包括提供具有阵列区和外围区的基底；形成覆盖基底的初始材料层；去除位于阵列区上的部分初始材料层，以在阵列区形成位线结构，并在相邻的位线结构之间形成存储节点接触结构；去除位于外围区上的初始材料层，以在外围区形成栅极结构。本公开通过先在阵列区上形成位线结构和存储节点接触结构，之后再在外围区上形成栅极结构。如此，可以避免形成位线结构和存储节点接触结构时多次热处理过程对栅极结构的损伤，提高了栅极结构的良率，进而提高了半导体结构的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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