[发明专利]一种利用二次回滞提高维持电流的高鲁棒性SCR器件

摘要

本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种利用二次回滞特性的提高维持电流的高鲁棒性SCR器件。该结构与传统的SCR结构相比，调换了N型阱区中N型重掺杂区和P型重掺杂区的位置，提高了在其两端产生所需压降的电流。在N型阱区中加入了额外的N型浮空重掺杂区，增加了新的NPN电流通路，提高了寄生PNP管开启所需的电流。在N型阱区中加入了N型中等掺杂区，降低寄生PNP的发射结注入效率，抑制寄生PNP和寄生NPN之间的正反馈，从而提高SCR的维持电流。高维持电流使该新型SCR器件可以在高压集成电路中提供较强的防护能力。