[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202211175188.4 | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN116013859A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 中込旭人;谷口克己;加藤辽一;村田悠马 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/10;H01L23/31;H01L23/49;H01L23/538;H01L21/52;H01L21/60;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其实现可靠性高的半导体装置。半导体模块(10)(半导体装置)包括壳体(11)、层叠体(16)以及梁部(17)。壳体为框状，在其一边具有凹部(11a)。层叠体具有依次层叠有端子(13)、绝缘片(14)以及端子(15)的结构，并配置于壳体的凹部。梁部(17)固着于壳体的凹部，将配置于该凹部的层叠体固定。壳体、层叠体以及梁部(17)分别分开准备、并组装。由此，避免如将层叠体嵌件成型的情况那样绝缘片(14)与在成型时成为较高温度的壳体树脂材料接触，抑制绝缘片(14)的劣化、以及由此引起的端子(13)与端子(15)之间的绝缘不良，并提高半导体模块的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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