[发明专利]一种SRAM型可编程逻辑器件的电压管理电路在审
| 申请号： | 202211180499.X | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115602213A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 曹正州;徐玉婷 | 申请（专利权）人： | 无锡中微亿芯有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C11/418;G11C5/14 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种SRAM型可编程逻辑器件的电压管理电路，涉及SRAM型可编程逻辑器件领域，本申请利用SRAM型可编程逻辑器件有固定的几个工作阶段且有相应的标志位的特性，在配置阶段，通过电压管理电路给连接在字线电路和配置SRAM之间的字线驱动器提供大于内核逻辑电压的字线驱动电压，从而可以将字线电压抬高至字线驱动电压提供给选中的配置SRAM，在不影响稳定性的情况下改善配置SRAM的写入性，优化整个SRAM型可编程逻辑器件的性能。而且调节时的负载仅有选中的若干个配置SRAM，负载较小，可以快速响应，可以减小对器件的工作频率的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 可编程 逻辑 器件 电压 管理 电路 | ||
【主权项】：
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