[发明专利]改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型及其构建方法在审
| 申请号： | 202211184966.6 | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115688662A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 孙玉红;王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/38 | 分类号： | G06F30/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 顾丹丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型及其构建方法，该方法包括：步骤1，测量齐纳二极管的正向和反向特性，获取电流Ij与结电压Vj的对应数据，阴极n端和阳极p端间电压；步骤2，调整模型参数确保正向电流特性仿真数据和实测数据吻合，用拟合方法得到反向电流与齐纳二极管的阴极n端和阳极p端间电压关系的数学表达式，得到反向电阻值；步骤3，根据反向电阻值得到用于调节反向击穿电流的电阻r1，在齐纳二极管的原子电路模型中增加中间端头p1，在齐纳二极管的阳极p端和中间端头p1端间增加用于调节反向击穿电流的电阻r1，而中间端头p1端和齐纳二极管的阴极n端保持原电路，构建新的子电路模型。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 齐纳二极管 反向 电流 特性 电路 模型 及其 构建 方法 | ||
【主权项】：
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