[发明专利]一种基于GaAs Bi-Hemt工艺的宽带放大器芯片有效
| 申请号： | 202211186160.0 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115296627B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 叶珍;刘莹;肖聪;房汉林;肖龙;胡柳林;邬海峰;王测天;童伟;廖学介;黎洪迪;吴曦 | 申请（专利权）人： | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42;H03F1/02;H03F1/18;H03F1/30;H03F1/32;H03F3/213 |
| 代理公司： | 西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 61271 | 代理人： | 陈选中 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaAs Bi‑Hemt工艺的宽带放大器芯片，属于集成电路技术领域，包括第一Lange电桥、第二Lange电桥、第一高增益分布式放大器和第二高增益分布式放大器；本发明可以在宽带内实现高功率；本发明中采用的平衡式结构、分布式结构、共源共栅结构和达林顿结构均可拓展工作带宽，从而整个放大器可以实现超宽带匹配和高增益；分布式放大器可实现输出较高的功率，信号经两个完全相同的高增益分布式放大器放大，再经Lange电桥耦合，实现了在分布式放大器输出较高功率后，整个芯片功率又提高了一倍，因此在宽带内实现了高功率和优良的驻波。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gaas bi hemt 工艺 宽带 放大器 芯片 | ||
【主权项】：
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