[发明专利]功率器件栅氧化层可靠性评估方法在审
申请号: | 202211191765.9 | 申请日: | 2022-09-28 |
公开(公告)号: | CN115684859A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 和巍巍;汪之涵;唐宏浩 | 申请(专利权)人: | 深圳基本半导体有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 曾柳燕 |
地址: | 518118 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请的实施例提供一种功率器件栅氧化层可靠性评估方法,包括:在多个功率器件的栅极施加电压,以在预设温度下进行预设时间的高温栅偏压试验;测试经过所述高温栅偏压试验后的所述功率器件的静态参数,并剔除处于失效状态的功率器件;确认所述多个功率器件是否失效;若所述多个功率器件没有失效,则将所述功率器件的栅极电压以预设梯度进行递增,并在预设温度下进行预设时间的高温栅偏压试验,直到所述多个功率器件全部失效;对失效的功率器件进行剖片分析;处理所述多个功率器件的失效情况并计算故障率。本申请的实施例可以对功率器件的可靠性进行评估,测试使用的器件数量少,节约测试分析成本。 | ||
搜索关键词: | 功率 器件 氧化 可靠性 评估 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳基本半导体有限公司,未经深圳基本半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211191765.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:区块链节点激励方法、装置、电子设备及存储介质
- 下一篇:一种高速旋转接头