[发明专利]一种采用半导体和电容的直流灭弧装置及灭弧方法在审

专利信息
申请号: 202211198359.5 申请日: 2022-09-29
公开(公告)号: CN115692060A 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 李胜文;王金浩;胡帆;刘冀肇;郑惠萍;杨超颖;李慧蓬;王亮;刘海金;冯磊 申请(专利权)人: 国网山西省电力公司电力科学研究院
主分类号: H01H9/30 分类号: H01H9/30
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 徐红梅
地址: 030001 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了一种采用半导体和电容的直流灭弧装置及灭弧方法,装置包括转换电源、驱动电路和灭弧组件,灭弧组件包括半导体开关和电容,半导体开关与负载的机械开关并联,电容与负载并联,负载接通供电电源后,转换电源启动,为半导体开关提供驱动电压,并为驱动电路提供供电电压,驱动电路用于驱动半导体开关的通断;灭弧方法为:负荷接通电源后,转换电源启动,单片机工作并输出驱动信号,驱动半导体开关和机械开关同时导通,并延时设定时间后驱动半导体开关关断,负载导通。本发明采用并联电容且串联半导体开关的方式,同步解决负荷开通和关断过程中的电弧问题,成本低,体积小,可放置于负荷内部实现融合,降低对插座、断路器的灭弧要求。
搜索关键词: 一种 采用 半导体 电容 直流 装置 方法
【主权项】:
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