[发明专利]一种高压LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202211202265.0 | 申请日： | 2022-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115621384A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 赵斌;曲晓东;罗桂兰;杨克伟;林志伟;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/00;H01L33/10;H01L33/38;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将所述发光结构通过分割道形成相互独立的第一发光结构和第二发光结构；并通过导电衬底、电极连通层和第一电极的设置，使所述第一发光结构形成垂直LED芯片；通过所述键合层嵌入所述通孔与对应所述的第一型半导体层形成接触，使所述第二发光结构形成通孔结构的LED芯片；其次，通过第二绝缘层的设置，使所述电极连通层与所述第二电极层在所述分割道上方连接，从而实现了所述第一发光结构和第二发光结构的串联。如此，使两发光结构无需通过台阶即可实现桥接，大大提升了高压LED芯片的可靠性；同时，分割道在反面LED单元化刻蚀时同步形成，无需增加额外工艺，简化高压LED芯片的制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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