[发明专利]一种用于硅纳米阵列的渗透钝化方法

摘要

本发明涉及硅纳米阵列技术领域，提出了一种用于硅纳米阵列的渗透钝化方法，包括以下步骤：将钝化溶液滴到硅纳米阵列表面，静置至渗透，完成钝化。通过上述技术方案，1)解决了硅纳米阵列的钝化难题，有效、高质量的钝化物理刻蚀、化学刻蚀制备的硅纳米阵列，消除现有钝化方案所需的大型真空设备，简化工艺、降低成本、提高安全性；2)渗透钝化硅纳米阵列，使得硅纳米阵列同时具备低反射损失以及低复合损失功能，满足逆俄歇反常光伏效应(即一个光子产生两对电子‑空穴对)的两个必要条件，使得外量子效率大于100％，有望突破单结晶体硅电池效率的SQ理论极限，获得更高的电池光电转换效率。