[发明专利]磁壁利用型模拟存储元件以及磁壁利用型模拟存储器在审
| 申请号： | 202211213418.1 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN115568273A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N52/85;G11C11/15;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明所涉及的磁壁利用型模拟存储元件(100)具备：磁壁驱动层(1)，具有磁壁(DW)、第1区域(1a)、第2区域(1b)、位于第1区域与第2区域之间的第3区域(1c)；磁化固定层(5)，经由非磁性层(6)被设置于第3区域；下部电极层(4)，在第3区域的设置有磁化固定层的第1面的相反的第2面上被设置于从俯视图看与磁化固定层相重叠的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 模拟 存储 元件 以及 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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