[发明专利]一种异质结双极型晶体管的外延结构和异质结双极型晶体管

摘要

本发明实施例公开了一种异质结双极型晶体管的外延结构和异质结双极型晶体管。外延结构包括层叠设置的衬底、缓冲层、集电极层、基极层、发射极层和发射极盖层；其中，衬底包括GaAs衬底，缓冲层的材料包括AlxGa1‑xAs1‑yPy，集电极层的材料包括GaAs。本申请中，利用AlxGa1‑xAs1‑yPy材料形成缓冲层，AlxGa1‑xAs1‑yPy中的P的引入使AlxGa1‑xAs1‑yPy与GaAs的晶格常数更加接近，利用AlxGa1‑xAs1‑yPy材料形成缓冲层，可以降低缓冲层和衬底之间的晶格失配，提高晶体生长的质量；同时，P的引入也可以增加AlxGa1‑xAs1‑yPy材料的禁带宽度，使AlxGa1‑xAs1‑yPy中需要的Al含量降低，进而降低Al引入的缺陷中心密度，提升异质结双极型晶体管的器件性能。