[发明专利]一种掺铒硅量子点晶体材料、其制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种掺铒硅量子点晶体材料、其制备方法及应用。本发明的掺铒硅量子点晶体材料的尺寸为3～5nm，其表面包含烷烃配体，所述掺铒硅量子点晶体材料为金刚石结构的晶体，所述掺铒硅量子点晶体材料晶格内的Er3+浓度≥1×1018 cm‑3，所述掺铒硅量子点晶体材料晶格内的Er3+全部具有光学活性，所述掺铒硅量子点晶体材料（111）晶面的晶面间距为0.315～0.320 nm。对掺铒硅量子点晶体材料进行氢化硅烷化表面改性处理后，掺铒硅量子点晶体材料双发射的中心波长的差值Δλ≥710 nm，并实现了一种掺铒硅量子点晶体材料的晶体材料。本发明具有相对灵敏度高，发光波长位于近红外，无信号串扰且无自吸收的优势，在生物医疗、集成电路、航空航天等许多领域的温度探测都有巨大的应用潜力。