[发明专利]砷化铟薄膜的外延层结构、霍尔器件及制备方法在审
| 申请号： | 202211220089.3 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115295719A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;朱忻;何渊;吴铭;余泽辉;蔡兴文;万楚华 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司;深圳市赛迈科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 戚海洋 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种砷化铟薄膜的外延层结构，涉及化合物半导体的技术领域，包括一砷化镓衬底；一缓冲层，覆盖于所述砷化镓衬底的上表面一砷化铟缓冲结构，覆盖所述缓冲层；一砷化铟功能层，覆盖于所述砷化铟缓冲结构的上表面。解决了现有技术中砷化铟霍尔器件信噪比低的技术问题，达到了在不降低灵敏度的基础上提高信噪比的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化铟 薄膜 外延 结构 霍尔 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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