[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202211225278.X | 申请日： | 2022-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN115863385A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 林士豪;杨智铨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/528;H01L29/78;H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括堆叠在衬底上方并且彼此间隔开的第一组纳米结构、堆叠在衬底上并且彼此间隔开的第二组纳米结构、邻接第一组纳米结构的第一源极/漏极部件、邻接第二组纳米结构的第二源极/漏极部件、着落在第一源极/漏极部件上并且部分地嵌入在第一源极/漏极部件中的第一接触插塞、以及着落在第二源极/漏极部件上并且部分地嵌入在第二源极/漏极部件中的第二接触插塞。第一接触插塞的底部低于第二接触插塞的底部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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