[发明专利]单晶硅基板的制造方法在审
| 申请号： | 202211225783.4 | 申请日： | 2022-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN115971643A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 伊贺勇人 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B23K26/06 | 分类号： | B23K26/06;B23K26/064;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供单晶硅基板的制造方法，该方法的生产率高。在利用透过单晶硅的波长的激光束在由单晶硅构成的被加工物(锭、裸晶片或器件晶片等)的内部形成了剥离层之后，以该剥离层为起点而从被加工物分离基板。由此，与使用线切割机从被加工物制造基板的情况相比，能够提高单晶硅基板的生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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