[发明专利]一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺在审
| 申请号： | 202211240175.0 | 申请日： | 2022-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN116156752A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 尤祥安;侯峰泽;王启东;丁飞;方志丹;陈钏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H05K1/18 | 分类号： | H05K1/18;H05K1/02;H05K3/00;H05K3/22;H05K3/42;H05K3/46;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 程虹 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺，属于微电子封装技术领域，解决了现有技术中供配电模组体积尺寸大、电流密度低、埋入式芯片封装热阻高、散热困难、结温过高的问题。该模组中，底部电极、封装基板、功率器件和顶部电极层叠；集成电路芯片和无源器件埋置于封装基板内部且在垂直方向上叠层。该封装工艺包括将集成电路芯片埋置于第一芯板中，将无源器件埋置于第二芯板中，压合构成封装基板；对封装基板进行钻孔、孔壁金属化和塞孔得到待封装整体；对待封装整体进行灌封、研磨和表面金属化。该模组和封装工艺能够有效提高电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流密度 垂直 配电 模组 及其 封装 工艺 | ||
【主权项】：
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