[发明专利]一种基于柔性衬底的感存算器件及制备方法在审
| 申请号： | 202211242840.X | 申请日： | 2022-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN115618936A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 杨雅芬;何振宇;王天宇;孟佳琳;张卫 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G06N3/06 | 分类号： | G06N3/06;B82Y10/00;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于柔性衬底的感存算器件及制备方法，包括在柔性衬底上形成并列设置的两个电极，以及形成连接于两个电极之间的功能层，功能层包括连接于两个电极之间的金属氧化物纳米线。本发明通过采用常温化学方法制备基于柔性衬底和金属氧化物纳米线的感存算器件，在物理形态上与生物系统更加兼容，同时避免了柔性衬底在高温条件下容易变形的问题，可以适用于新型可穿戴系统，具有制备方法简便，工艺可与低温的CMOS工艺相兼容，器件电学特性测试简便等优点，有望未来在可穿戴感存算器件制造中获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 柔性 衬底 感存算 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路制造创新中心有限公司，未经上海集成电路制造创新中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211242840.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
