[发明专利]基于Geant4及TCAD软件的碳化硅快中子探测器模拟方法在审
| 申请号： | 202211247576.9 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115563784A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 刘书焕;熊艳丽;马勇;王炫;黄有骏;孟凡钧;宋辞;韩宁;李浩迪 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/10 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 何会侠 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于Geant4及TCAD软件的碳化硅快中子探测器模拟方法，步骤如下：1、利用Geant4软件进行模拟仿真，根据单能中子转换效率确定转换层最优厚度；2、在最优转换层厚度条件下，模拟获取混合能中子源穿过转换层产生的质子进入探测器的能量、角度信息；3、根据计算的质子能量角度信息进行抽样；4、利用SRIM软件获取质子在碳化硅材料中的射程和传能线密度；5、在TCAD软件中，对半导体器件进行建模及结构优化，获取基本电学特性；6、根据抽样结果和优化的探测器结构，在TCAD软件中进行模拟，获取粒子脉冲电流、电荷收集等数据，实现了快中子探测器的优化及Gean4和TCAD的耦合模拟。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 geant4 tcad 软件 碳化硅 快中子 探测器 模拟 方法 | ||
【主权项】：
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