[发明专利]一种应用于SiC功率器件的温度采样方法、装置及系统在审
| 申请号： | 202211249901.5 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115561609A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 徐洋;谢影梅;汪剑华;王华;雷洋;王丽萍;曾聪智 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于SiC功率器件的温度采样方法、装置及系统，所述温度采样方法包括如下步骤：通过电流采样单元获取SiCMOSFET电流值；通过电压隔离采样单元获取SiC MOSFET VDS值；采集到所述SiC MOSFET VDS值和电流值，计算出SiC MOSFET相应的Rdson值；将所述Rdson值与预设的温度Rdson表进行查找对比，得到该时刻的SiC功率器件的结温的温度值。所述温度采样装置包括：电流采样单元、电压隔离采样单元以及Rdson值计算模块。所述温度采样系统包括：多个温度采样装置和微处理器。本发明提高了温度采样精度，精确地反映SiC功率器件内部的实时温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 sic 功率 器件 温度 采样 方法 装置 系统 | ||
【主权项】：
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