[发明专利]超低亚阈值摆幅的阈值开关晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211253506.4 | 申请日： | 2022-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN115472682A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 张亦舒;凡雪蒙;汪华;许凯 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 徐晶晶 |
| 地址： | 311200 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超低亚阈值摆幅的阈值开关晶体管及其制备方法，阈值开关晶体管包括衬底、浅沟槽隔离区、底部电极层、介质材料层、顶部电极层和栅极保护层，浅沟槽隔离区形成于衬底上且隔离至少两个相邻的有源区，底部电极层形成于衬底的上表面，介质材料层为易失性电阻调节材料层且形成于底部电极层的上表面，顶部电极层形成于介质材料层的上表面，顶部电极层、介质材料层和底部电极层形成具有栅极图案的栅极结构，栅极保护层覆盖栅极结构的侧面。利用易失性电阻调节材料的特性，使得阈值开关晶体管实现阈值电压的高速转换，产生阈值电压调节，打破传统MOSFET的亚阈值斜率限制，且该阈值开关晶体管可以适用于低电压和低功耗领域。 | ||
| 搜索关键词： | 超低亚 阈值 开关 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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