[发明专利]一种InP基太赫兹HEMT晶体管小信号模型有效
| 申请号： | 202211256662.6 | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN115329719B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 陈阳;孙文杰;方恒;赖娴;张勇;延波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件领域，具体提供一种InP基太赫兹HEMT晶体管小信号模型，用以解决传统小信号模型中寄生参数元件缺乏物理意义、未考虑趋肤效应的问题。本发明通过模型中寄生元件的创造性设计，各个寄生元件具有明确的物理意义，且接地孔引入趋肤效应阻抗；同时，按照递进关系将晶体管几何图形组合为4组，对应4个寄生元件子模型，通过三维电磁场仿真软件对4组几何图形进行分步建模仿真，基于仿真结果依次提取对应各个寄生元件的参数值；基于此，本发明能够有效节省了建模时间，并显著提高了小信号模型的模拟精度；另外，与传统小信号模型相比，本发明中寄生元件数量增加，能够有效提高小信号模型的模拟精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp 赫兹 hemt 晶体管 信号 模型 | ||
【主权项】：
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