[发明专利]MIM电容、MIM电容极板及其制备方法在审
| 申请号： | 202211260433.1 | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN115666218A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 邢中豪;梁金娥;林建树;李宗旭 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MIM电容、MIM电容极板及其制备方法，所述电容极板包括：第一氮化钛层、金属层及第二氮化钛层，所述第一氮化钛层形成于半导体结构的表面，且所述半导体结构至少包括半导体衬底，所述金属层形成于所述第一氮化钛层与所述第二氮化钛层之间，用于改善所述电容极板的平整度及应力。通过本发明解决了现有MIM电容极板平整性较差及应力偏大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 极板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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