[发明专利]一种自驱动薄膜光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202211273849.7 | 申请日: | 2022-10-18 |
公开(公告)号: | CN115632079A | 公开(公告)日: | 2023-01-20 |
发明(设计)人: | 梁广兴;李传昊;陈烁;郑壮豪 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/032;H01L31/08;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 刘芙蓉 |
地址: | 518060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种自驱动薄膜光电探测器及其制备方法,方法包括步骤:提供衬底;在衬底上形成铜锌锡硫前驱体膜,对铜锌锡硫前驱体膜进行过饱和硒化处理,得到铜锌锡硫硒吸收层;采用化学水浴法在铜锌锡硫硒吸收层上沉积硫化镉缓冲层;采用磁控溅射法在硫化镉缓冲层上沉积氧化铟锡窗口层,热蒸发银电极,得到自驱动薄膜光电探测器。本发明通过采用溶液旋涂法和过饱和硒化处理制得了微米级晶粒紧密堆积且高载流子迁移率方向择优取向生长的高质量铜锌锡硫硒吸收层薄膜,并且由于铜锌锡硫硒吸收层薄膜具有择优取向的原子排列,减少了铜和锌的反位缺陷,使得深能级缺陷密度明显降低,复合中心较浅,有利于减少光生载流子复合,提升载流子寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 驱动 薄膜 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的