[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202211275205.1 | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115692329A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 | 申请（专利权）人： | 中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/768;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/15;H01L23/31 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市粤海街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：S11，将硅基键合至石墨载板，完成沟槽的制备、填充及平坦化处理后制备ILD层；S12，蚀刻ILD层，制备第一孔段；S13，将硅基通过切割模框从石墨载板转移至玻璃载板；S14，在硅基和玻璃载板制备防护层；S15，蚀刻去除部分防护层，至少保留位于接触孔内的防护层；S16，沿第一孔段蚀刻形成接触孔；S17，在接触孔制备铂硅化合物；S18，在硅基制备铝块。本发明的半导体器件的制备方法，可以利用防护层将硅基牢固、可靠地固定至玻璃载板，无需其他键合工艺。而且，在第一孔段内壁预留的防护层有利于接触孔的制备，解决了接触孔对准困难及在距离较小的相邻沟槽间制备接触孔困难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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