[发明专利]二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211275332.1 | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115692511A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 魏楠;张新玥;司佳;王颖;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 李伟波 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种基底；至少一个第一电极，第一电极形成于基底之上；至少一个第二电极，第二电极形成于基底之上，且与第一电极间隔开；以及半导体沟道层，至少设置在第一电极和第二电极之间，其中，沟道层形成有第一类型掺杂区和第二类型掺杂区。本公开还提供了一种二极管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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