[发明专利]一种深紫外LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202211276180.7 | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN115360276B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 至善时代智能科技（北京）有限公司;至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 102629 北京市大兴区中关村科技园区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及紫外LED器件技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延结构及其制备方法。本发明提供的紫外LED外延结构，包括依次层叠设置的衬底、AlN缓冲层、非掺杂的AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱结构层、P型电子阻挡层、P型AlGaN空穴注入层和P型GaN覆盖层；所述多量子阱结构层包括层叠设置的电子诱捕层和量子阱发光层；所述电子诱捕层包括依次交替层叠设置的诱捕垒和诱捕阱。本发明在所述量子阱发光层前设置电子诱捕层一方面利用诱捕垒阻挡了一部分电子的迁移，另一方面又利用诱捕阱控制跃迁过去的电子的速率，从而减少电子的迁移，进而避免造成漏电现象，提高了电子与空穴的复合效率，提高了LED发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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