[发明专利]以氧化黑磷介电层为顶栅的黑磷场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202211276531.4 | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN115662904A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 裴家杰;刘心语;詹红兵 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/24;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种以氧化黑磷介电层为顶栅的黑磷场效应晶体管的制备方法，其利用微机械剥离法得到薄层黑磷，并利用氧等离子体刻蚀在薄层黑磷表面直接生成氧化黑磷层，以氧化黑磷作为介质栅，构建出黑磷场效应晶体管。根据本发明提出的氧化黑磷介电层为顶栅的黑磷晶体管，为改善栅绝缘体与黑磷半导体通道接触的不良界面带来一种新的实现方式。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 黑磷 介电层 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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