[发明专利]用于高功率密度应用的功率转换器在审
| 申请号： | 202211282597.4 | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN116053222A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 余子威;陈霖;牛志强 | 申请（专利权）人： | 万国半导体国际有限合伙公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L25/07;H02M1/44;H05K1/18 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 加拿大安大略省多伦多*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体封装包括一个引线框架、一个半导体芯片和一个模制封装。所述引线框架包括升高的部分，所述升高的部分包括源极部分；排水部分；以及多个引线。半导体芯片包括布置在引线框架上的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。半导体芯片包括源极电极、漏极电极和栅极电极。半导体芯片的源极电极与引线框的升高部分的源极部分电连接和机械连接。半导体芯片用作低端场效应晶体管，作为通过第一热界面材料连接到散热器的翻转芯片。高端场效应晶体管通过第二热界面材料连接到散热器。低端场效应晶体管和高端场效应晶体管安装在印刷电路板上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率密度 应用 功率 转换器 | ||
【主权项】：
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