[发明专利]凹坑型PSS的重复利用方法、复合衬底及LED外延片在审

专利信息
申请号: 202211284711.7 申请日: 2022-10-17
公开(公告)号: CN115602771A 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 张剑桥;康凯;李军建 申请(专利权)人: 广东中图半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L33/24 分类号: H01L33/24;H01L33/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 倪焱
地址: 523000 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例公开了一种凹坑型PSS的重复利用方法、复合衬底及LED外延片。该凹坑型PSS的重复利用方法包括:提供图形化衬底,图形化衬底包括基板以及形成在基板表面上的多个凸起微结构和多个凹坑,凹坑围绕凸起微结构;在图形化衬底上形成一层异质层;图案化异质层,形成多个异质图案结构,异质图案结构一一对应覆盖凸起微结构以及与凸起微结构相邻的凹坑。本发明实施例可以解决PSS产生凹坑后无法继续使用的问题,提高了产品的有效出货率,降低了制造成本。
搜索关键词: 凹坑型 pss 重复 利用 方法 复合 衬底 led 外延
【主权项】:
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