[发明专利]一种氮化镓半导体材料及其化学刻蚀方法在审
| 申请号： | 202211286389.1 | 申请日： | 2022-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN115637499A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 刘德昂 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙) 34186 | 代理人： | 吴晨亮 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氮化镓半导体材料及其化学刻蚀方法，包括以下步骤：（1）、将氮化镓材料进行ICP‑RIE刻蚀；（2）、在2wt%‑30wt%的四甲基氢氧化铵溶液中加入0.01wt%的聚乙二醇辛基苯基醚，配成刻蚀液；（3）、将经过ICP‑RIE刻蚀的氮化镓材料放入刻蚀液中加热至30℃‑100℃进行化学刻蚀，加热时间是30min；（4）、在进行化学刻蚀的同时采用紫外光以30mW/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 半导体材料 及其 化学 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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