[发明专利]富含硫空位的硫化钽纳米片及其制备方法以及富含硫空位的硫化钽纳米片催化剂及应用在审

专利信息
申请号: 202211289382.5 申请日: 2022-10-20
公开(公告)号: CN115893491A 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 李立宏;曹亚伟;宋延林 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: C01G35/00 分类号: C01G35/00;C25B11/075;C25B1/04;B82Y40/00
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 刘伊南
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及二维无机材料制备技术领域,公开了一种富含硫空位的硫化钽纳米片及其制备方法以及富含硫空位的硫化钽纳米片催化剂及应用。所述富含硫空位的硫化钽纳米片的比表面积为50‑1000m2/g,且根据Ta/S原子比计算硫空位浓度为2‑25%。该方法能够制备出横向尺寸大、厚度小且富含一定比例硫空位的硫化钽纳米片,并且,该富含硫空位的硫化钽纳米片催化剂在电化学析氢反应、析氧反应中表现出优异的性能。
搜索关键词: 富含 空位 硫化 纳米 及其 制备 方法 以及 催化剂 应用
【主权项】:
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