[发明专利]一种超薄碳化硅纳米片的制备方法在审
| 申请号： | 202211290004.9 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN115744908A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 郭林;赵赫威;汪少雄 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C01B32/977 | 分类号： | C01B32/977;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及材料领域，主要涉及一种超薄碳化硅纳米片的制备方法。通过以诸如石墨烯、还原氧化石墨烯、氧化石墨烯等片状材料为模板，以聚乙烯吡咯烷酮为表面活性剂，让碳化硅前驱体聚碳硅烷在常温下沿着模板生长，并在惰性气氛中高温煅烧将前驱体转化为碳化硅，在空气气氛中高温去除模板即可获得厚度可调的超薄碳化硅纳米片。我们所制备的碳化硅纳米片经原子力显微镜测出其杨氏模量超过2TPa，强度超过45GPa，应变超过5％，其在微电子元件、微观力学，指导几乎无缺陷碳化硅的制备等方面有着很大的潜在应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 碳化硅 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211290004.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
