[发明专利]一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法有效
| 申请号： | 202211296855.4 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN115612954B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 靳柯;董亚光;王本鹏;薛云飞;贺新福;豆艳坤 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学;中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | C22F1/18 | 分类号： | C22F1/18;C22F1/02;B32B15/01 |
| 代理公司： | 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人： | 周蜜 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种降低Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法，属于高熵合金制备技术领域。该方法是在Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板的两个表面固定纯Zr板或者纯Zr箔，然后在惰性气体保护气氛下进行高温处理，利用Zr的吸收作用使Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板中的杂质原子扩散Zr板或Zr箔中并与Zr反应形成Zr‑(CNO)相，从而降低Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板中游离态杂质元素的含量，由于Zr‑(CNO)相并不是作为第二相分布在难熔高熵合金板中，而且Zr在难熔高熵合金板表面的扩散层厚度也很小，不会对难熔高熵合金板的组织与力学性能产生不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 ti ta nb 系难熔高熵 合金 杂质 含量 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理工大学;中国原子能科学研究院，未经北京理工大学;中国原子能科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211296855.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
