[发明专利]一种巨介电、低损耗CCTO陶瓷的还原-再氧化制备方法在审
| 申请号： | 202211299298.1 | 申请日： | 2022-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN115536384A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 祖昊;王传丰;段惠敏;张胜;黄慧;何晓娟;刘慧;边健;丰远;严亮 | 申请（专利权）人： | 合肥学院 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/622;C04B35/638 |
| 代理公司： | 安徽新越诚途专利代理事务所(普通合伙) 34261 | 代理人： | 李浩宇 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及新型电子陶瓷材料领域，公开了一种巨介电、低损耗CCTO陶瓷的还原‑再氧化制备方法，在组份设计上，针对Cu位、Ti位，采用单掺杂或双掺杂的成份设计方法。成份组成为：CaCu3‑xAxTi4‑yByO12+zBN，其中，A代表Sr、Mg、Ni中的一种，B代表Zr、Sn、Ge中的一种，0.00≤x≤0.30，0.05≤y≤0.20，0.00≤z≤0.10。还原的CCTO陶瓷经低温再氧化处理后，介电损耗显著降低，同时，维持巨介电特性。本发明利用流延工艺制备生坯，采用还原‑再氧化工艺烧结，与基于贱金属内电极的多层片式元件制备工艺相兼容。采用本发明的制备工艺与材料组份设计方法，可制备出能够满足实际应用要求的基于贱金属内电极的多层片式CCTO陶瓷元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 巨介电 损耗 ccto 陶瓷 还原 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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