[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202211308033.3 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN116072538A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 石川慎也;小野健太;本田昌伸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/033;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够控制开口尺寸。等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，提供具备蚀刻对象膜和掩模膜的基板，掩模膜形成于蚀刻对象膜的上表面，掩模膜具有在蚀刻对象膜的上表面规定出至少一个开口的侧面和从侧面延伸出到蚀刻对象膜的上表面的至少一部分的延伸部；工序(b)，在掩模膜的至少侧面形成沉积膜；以及工序(c)，使用由第一处理气体生成的等离子体，至少对沉积膜的一部分进行蚀刻来使沉积膜的厚度减少，其中，第一处理气体包含用于对蚀刻对象膜进行蚀刻的气体，执行工序(c)直到在深度方向上蚀刻对象膜的一部分被蚀刻以使得延伸部被去除为止。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
