[发明专利]一种氮化镓功率器件、制备方法及芯片在审
| 申请号： | 202211312123.X | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115548100A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体技术领域，提供了一种氮化镓功率器件、制备方法及芯片，氮化镓功率器件包括：半导体衬底、第一沟道层、第二沟道层、第一势垒层、第二势垒层、盖帽层、源极电极、漏极电极、栅极电极、阴极电极、阳极电极、第一隔离区和第二隔离区；在氮化镓功率器件工作期间对阳极电极和阴极电极处其电场强度较大，电场尖峰较大，会导致功率器件的击穿电压较低。本申请实施例通过设置第一隔离区和第二隔离区，可以增加电子迁移距离，减弱阳极电极和阴极电极处的电场峰值，使得电场更加均匀，提升功率器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 功率 器件 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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