[发明专利]一种纳米压痕测试后二次定位岩石表面残余压痕的方法在审

专利信息
申请号: 202211313398.5 申请日: 2022-10-25
公开(公告)号: CN115791477A 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 刘一苇;康勇;胡毅 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: G01N3/42 分类号: G01N3/42;G01N3/06
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 李炜
地址: 430072 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种二次定位岩石表面纳米压痕测试残余压痕的方法,包括以下步骤:S1.在精细抛光后的岩石表面进行标记;S2.在纳米压痕试验仪光学显微镜的下找到标记;S3.借助纳米压痕试验仪内置刻度标尺,确定标记的应力影响范围;S4.在标记附近进行纳米压痕网格测试,记录压痕网格边界相对于标记中心点的位置坐标;S5.进行后续分析,首先在视野中定位到标记,确定各压痕网格的位置;S6.在各压痕网格位置处调整高分辨率设备参数,定位纳米压痕网格的残余压痕标记。本发明针对高度非均质的岩石表面,借助预先标记对纳米压痕网格进行有效定位,实现了在岩石表面快速、精确、高效二次定位残余压痕,方便对岩石表面进行更全面的微观分析。
搜索关键词: 一种 纳米 压痕 测试 二次 定位 岩石 表面 残余 方法
【主权项】:
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